今天，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心發(fā)展戰(zhàn)略研討會暨第一屆專家委員會會議在蘇州工業(yè)園區(qū)拉開序幕，學術界、產(chǎn)業(yè)界代表匯聚一堂，共同探討“十四五”期間如何更好發(fā)揮國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心的支撐作用、持續(xù)提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力等課題。
中國科學院院士、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心主任郝躍，中國科學院院士江風益，中國工程院院士歐陽曉平，中國科學院院士楊德仁等數(shù)十名國內(nèi)第三代半導體領域頂尖技術和產(chǎn)業(yè)專家線上線下參加，省科技廳二級巡視員景茂，園區(qū)黨工委委員、管委會副主任倪乾等出席會議。
園區(qū)自2006年起布局發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)，目前已成為國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)資源集聚度最高、產(chǎn)業(yè)化程度最好的區(qū)域之一，集聚上下游企業(yè)53家，形成了以“設備輔材-襯底外延-器件”為核心、以“下游應用”為支撐的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，吸引10余位國家級重點人才在園區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)，建設了加工平臺、測試分析平臺、封裝平臺等一批公共服務平臺。
國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）于2021年3月獲科技部批復支持建設，瞄準國家重大戰(zhàn)略需求，圍繞第三代半導體材料在半導體照明、新型顯示、功率電子領域的“雙碳”目標，重點解決第三代半導體材料在耐高壓、高功率密度、高能效、高寬帶頻率等特性需求下的材料生長、工藝技術、裝備研發(fā)等科學問題，發(fā)展一批顛覆性技術，推動我國第三代半導體在多個產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)國際領跑。
兩年來，國創(chuàng)中心引進院士團隊3個、高層次人才近20人，組建了激光顯示等3個領域核心攻關團隊。材料生長平臺、測試分析平臺能力全面提升，服務企業(yè)及科研院所超百家。
實施省級以上重點研發(fā)計劃3項，部分關鍵共性技術指標取得突破性進展。與高校院所、科技企業(yè)合作設立聯(lián)合研發(fā)中心9個，聚焦國家戰(zhàn)略需求開展協(xié)同攻關。
成立3億元天使基金，舉辦了一系列學術活動，為產(chǎn)學研合作和科創(chuàng)成果轉(zhuǎn)化提供有力支撐。
國創(chuàng)中心已組建由六十余位頂尖專家、大咖們組成的第一屆技術專家委員會會議現(xiàn)場為部分專家頒發(fā)聘書
圍繞產(chǎn)業(yè)鏈需求，加快關鍵核心技術獨立自主和國產(chǎn)化替代，國創(chuàng)中心成立以來，一直致力于加強協(xié)同創(chuàng)新網(wǎng)絡構建，推動與優(yōu)勢單位、企業(yè)共建聯(lián)合研發(fā)中心、實驗室、人才培養(yǎng)基地。會上，面向關鍵技術攻關方向，新啟動共建8家聯(lián)合研發(fā)中心，包括氮化鎵同質(zhì)外延技術聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵功率微波技術聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示巨集成技術聯(lián)合研發(fā)中心、硅基氮化鎵材料聯(lián)合研發(fā)中心、寬帶通信濾波器芯片技術聯(lián)合研發(fā)中心、碳化硅車用大功率MOSFET芯片技術聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示Led技術聯(lián)合研發(fā)中心、超高分辨率Micro-LED顯示技術聯(lián)合研發(fā)中心。
蘇州荷塘創(chuàng)芯基金同期簽約成立 “金融活水”將為產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展注入強動力
“目前，第三代半導體已經(jīng)顯示出了在汽車電子、通信、航空航天等方面的應用優(yōu)勢，蘇州在第三代半導體領域擁有豐富的企業(yè)資源和科技力量。”郝躍表示，下一步國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心將更好地匯聚人才、資源，同時依托蘇州工業(yè)園區(qū)良好的政策環(huán)境，進一步加速科技到產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)化，為國家解決重大戰(zhàn)略需求和產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求。
責編：朱霜 編輯：October
記者：唐曉雯
來源：園區(qū)融媒體中心
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